Technical Journal

特集 デバイス
IinGaN系発光素子励起Smドープ赤色蛍光体
要旨
 近年,低環境負荷・長寿命・高効率な青紫色LEDを用いて蛍光体を励起する固体照明デバイスが多いに注目されている。本稿では,InGaN系発光素子の効率が最も高いと考えられる400nm帯励起により強い赤色発光を示すサマリウム(Sm)ドープ蛍光体について報告する。Sm3+は400nm帯に最も強い励起帯を有し,上記波長の発光素子を用いた励起に適していると考えられる。我々が試作したボレートガラスを母体とする蛍光体では,内部量子効率として40%以上を確認している。Sm濃度・ホスト材料および組成を最適化することにより,発光強度・吸収効率およびブランチ比を制御した結果についても述べる。

  Recently, the research and development of solid-state lighting devices using phosphors pumped by violet LED has attracted much attention because of low environmental load, high reliability and high luminous efficiency. In this paper, we describe a samarium-doped phosphor showing the intense emission in red-region due to pumping in a 400nm band, where InGaN-based optical devices have presumably highest efficiency. A trivalent samarium ion has an intense excitation band at around 400nm, which is most suitably pumped using the InGaN-based optical devices. The internal quantum efficiency of 40% was confirmed in a borate-glass host. The optimization of emission intensity, absorption efficiency and branching ratio by controlling the samarium content as well as the host material and its composition are discussed.

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