In this paper we present advances in poly-Si TFT technology driven by the demands of the next SOP generations. Improved Si crystallization technology enables significant reductions of the variability in TFT characteristics, due to improved defect control. Advanced gate insulator technology allows thickness scaling of the gate dielectric film (concomitant to device scaling) without loss of performance or reliability. New plasma deposition technology developed and optimized at SLA provides for such improvements due to virtual elimination of inadvertent plasma damage in the dielectric film. Research on novel device architectures enables the integration of such process improvements with device structures that complement and customize device performance according to function. SLA's research and development will be the main thrust behind the 3^rd SOP generation and the continued development of "one-of-a-kind" display products at SHARP.

　この論文では，Poly-Si TFT 技術の進展について紹介します。SLA（シャープアメリカ研究所）では，次世代SOP を実現すべく，Poly-Si TFT 技術の研究開発を進めています。Si結晶化技術の向上により，欠陥制御性が改善され，TFT特性のばらつきが低減されます。アドバンスト・ゲート絶縁膜技術により，デバイス微細加工深化に伴うゲート絶縁膜の薄膜化が，パフォーマンスや信頼性を損なうことなく可能となります。SLAにて開発した新規プラズマCVD技術は，成膜の際に膜中に生じるプラズマダメージを実質的に除去することにより膜質の改善を行います。新規デバイス･アーキテクチャの研究により，これら新規プロセス技術とデバイス構造とを統合することが可能となります。これにより実現すべき機能に対し，必要なデバイス性能を作り込む事ができます。SLAにおける研究開発は，次世代SOP開発，及びSharpオンリーワン・ディスプレイ商品開発への主要な推進力となります。