現在，世界の太陽電池市場で主流である結晶シリコン太陽電池に対して，次世代の低コスト太陽電池の一つとして，薄膜シリコン太陽電池の研究開発が盛んに行われている。特に，アモルファスシリコン薄膜太陽電池と同様のプラズマCVD法で作製できるシリコン結晶薄膜太陽電池は，長波長域の光吸収係数がアモルファスシリコン薄膜太陽電池より高いという特徴を有することから，アモルファスシリコン／シリコン結晶薄膜のタンデム型太陽電池の下部セルとして利用することで，総合的に高い変換効率を得ることができる。本稿では，上記シリコン結晶薄膜太陽電池においてp型層の窒素合金化技術を用いて変換効率の向上を達成したので，その結果を報告する。

　Silicon thin-film solar cells have been extensively studied and developed as one of promising low-cost solar cells for the next generation, though the current world photovoltaic market is dominated by crystalline silicon solar cells. Microcrystalline silicon (μc-Si) thin-film solar cells can be fabricated using the same process of plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) as amorphous silicon (a-Si) thin-film solar cells. Since μc-Si has higher optical absorption coefficients at long wavelengths than a-Si, it can be used as a bottom cell of an a-Si/μc-Si tandem solar cell to achieve high conversion efficiency. This paper describes the imporovement in conversion efficiency of a μc-Si solar cell using a nitrogen added μc-Si p-layer.