The TFT-alley process for high resolution and large screen size TFT-LCD such as 20UXGA (1600x1200) is developed without the need for extra processing steps. A demonstrated novel process uses Pure-Al metal as gate and source electrode with low dielectric interlayer, which can result in achieving high performance a-Si TFT with high yield. 18.1SXGA(1280x1024) panel was already introduced in the mass production and achieved high cost performance with high aperture ratio.
大型高精細TFT-LCD，例えば20インチサイズのUXGA（1500×1200）パネルのTFTアレイプロセスを余分なフォトリソマスクステップを追加する事なく量産可能なプロセスを開発した。試作に用いられた新規TFTアレイプロセスは，低抵抗材料でもある純Al金属をゲート及びソース配線に用いた。本Al配線プロセスと低誘電率の層間絶縁膜とを組み合わせることにより高性能なa-Si TFTアレイを高良品率で達成する事も可能である。18.1インチサイズのSXGAパネル（1280×1024）のTFTアレイプロセスは，開発されたプロセスを用いて高いコストパフォーマンス及び高開口率パネルの量産化に成功した。
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