In this paper we discuss the development of sputter-Si technology for application in the area of poly-Si TFT Liquid Crystal Displays. We present the motivation behind this development and the state-of-the-art in materials and devices, based on PVD-Si precursor material. The Si-sputtering process is analyzed and data are presented on the quality of as-sputtered and post-annealed Si-films. The current drawbacks of Si sputtering are discussed, especially with respect to particles, film contamination and equipment availability. Based on the available data, strategies are presented to overcome these problems. PVD-Si technology has come a long way and has become a viable candidate as a Si-deposition method for next generation of poly-Si based applications. This technique is expected to play an even more important role, as the p-Si TFT-LCD industry moves to ultra-low temperature processing and, in parallel, the need increases for process cost reductions.

 本稿では,ポリシリコンTFT‐LCDへの応用を目的としたスパッタSi(PVD-Si)技術について述べる。プリカーサ材料としてのPVD-Si膜を材料及びデバイスの両面から,開発の背景及び最新動向について紹介する。現状の問題点としてパーティクル,膜汚染,及び装置開発が有り,これらの問題点に対するデータに基いた取り組みを述べる。本技術は,ポリシリコンTFT液晶が超低温プロセスへ以降する際に,重要な位置付けを占めると期待でき,プロセスのコストダウンに当たり,さらにその重要性が増すと考えている。




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