太陽光発電の本格的な市場拡大を図るため，バルク結晶型太陽電池に加え薄膜太陽電池の実用化に向けた開発が加速されている。非晶質（アモルファス）Si薄膜太陽電池はその中でも最も期待されているが，市場投入には一層の高性能化・低コスト化が不可欠である。そのためには，その心臓部の光電変換膜アモルファスシリコン（a-Si:H）膜の高品質・高速成膜が最重要課題となっている。本稿では，その新しい高速成膜技術として，当部で開発して来たショートパルスVHFプラズマ CVD 技術（Short-pulse VHF p-CVD，S･VHF 法）が提案される。
Intensive development of thin film solar cells, as well as the bulk crystalline Si solar cells, is proceeding to meet the rapidly growing demand of solar photovoltaic cells. While amorphous Si type solar cells are considered to be the most promising among thin film solar cells, the market requires even higher performance and more cost-competitiveness. The most important issue is to establish a film growth technology for a-Si:H of high deposition rate and high quality. This article describes a novel a-Si:H growth technology called Short-pulse VHF plasma CVD method (S-VHF p-CVD) which we have developed.
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