MOCVD法によりサファイア基板上に作製したリッジ導波路型のInGaN系青紫色半導体レーザの発振横モードについて検討を行った。InGaN系半導体レーザ素子構造特有の問題として，導波光の垂直方向にサブピークが現れ，ファーフィールドパターン（FFP）が乱れる現象がある。これは，nクラッド層の膜厚を最低0.8μmとすることで抑制できることが，シミュレーションおよび実験的に確認された。また，水平方向の導波モードについて，リッジディメンションを変えることにより制御できることを確認し，光学的特性がシミュレーションにより予測可能なことが示された。
The transverse modes of ridge-geometry InGaN violet laser diodes(LDs) grown by metalorganic chemical vapor deposition on sapphire substrates are studied. As specific problems of InGaN LDs, satellite peaks in vertical light distribution and pronounced ripples in the vertical far field patterns(FFPs) are found. Experimental and simulated results show that these phenomena can be suppressed for the thickness of n-cladding layer over 0.8μm. It is also demonstrated that the lateral transverse modes can be intentionally changed according to ridge dimension. The FFP characteristics of ridge-geometry InGaN laser diode are successfully estimated with simulation.
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