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2004年4月に水質汚濁防止法が改正され，窒素の総量規制が開始された。微細化が進む半導体製造プロセスでは，アンモニア水などを混合した薬液を使ってウエハ表面を洗浄処理する工程が増加し，当社福山事業所においても，アンモニア水由来の窒素排出量が増加傾向にあった。今回開発した技術は，アンモニア水を使用した洗浄工程等から排出される数千ppmの高濃度アンモニア含有排水を，従来から採用している独自微生物処理技術に新規マイクロナノバブル技術を融合させたシステムにより処理するもので，無希釈で処理できる画期的な排水処理技術である。社外からも多数の問い合わせが寄せられている本技術は，省エネルギー・省資源のシステムを可能にし，循環型社会の構築に寄与するものである。
The Water Pollution Prevention Law revised on April 2004 regulated total effluent of nitrogen. With the integration of semiconductor increasing, the wafer cleaning process using chemicals including ammonium hydroxide has increased. In our Fukuyama-factory, quantity of the ammonium hydroxide effluent containing nitrogen has been increasing due to those processes. We have developed new technology to process the effluent containing several thousands ppm ammonia from the cleaning process by using microbe and micro-nano bubble technology. This technology makes it possible to reduce energy and material consumption. This is the epoch-making system which can process the effluent without diluting it.
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