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InGaN-based semiconductor optoelectronic devices have significant applications in Blu-ray optical storage and solid-state lighting. Improvements in the performance of these devices are expected if InGaN quantum dot active regions are used in place of the quantum wells which are currently used. In this paper we report the growth of InGaN quantum dots by molecular beam epitaxy (MBE) at Sharp Laboratories of Europe. The structures contain a high density (1.5 x 1011 cm-2) of In0.15Ga0.85N quantum dots which are formed by self-organised nano-island growth and have typical diameters of 10 nm and heights of 1.7 nm. The quantum dots exhibit photoluminescence at blue/violet wavelengths of 〜430 nm and micro-photoluminescence measurements are used to reveal light emission from discrete energy states in individual dots. The quantum dot properties suggest that they are well suited for use in the active regions of visible-wavelength optoelectronic devices.
InGaN系半導体を用いた発光デバイスは，次世代DVDブルーレイや固体照明用光源として重要である。このとき，通常活性層として利用されている量子井戸にかえてInGaN量子ドットを用いることができれば，デバイスの性能は飛躍的に向上すると期待されている。本稿では，MBE (分子線エピタキシー) 法によるInGaN量子ドットの成長に関するシャープヨーロッパ研究所の取り組みについて述べる。自己形成ナノアイランド成長法によって形成したIn0.15Ga0.85N量子ドットは，1.5 × 1011 cm-2と高密度であり，そのサイズはおよそ直径10 nm高さ1.7 nmである。この量子ドットは波長約430 nmの青紫色のフォトルミネッセンスを示し，これは個々のドットの不連続なエネルギー準位からの発光であることが，顕微フォトルミネッセンスを用いた評価により確認された。このことは，この方法によって作成した量子ドットが可視光領域の発光デバイスの活性層として利用するに十分な特性を有していることを示している。
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