新しい構造のCMOSデバイス技術を用いた超低消費電力LSI技術の検討を行った結果，バルクSi基板を用いたダイナミックスレッショルドMOSFET（B-DTMOS）により従来構造MOSFETと比較して同一の動作速度で約1/2の低消費電力化が可能となることがわかった。
Novel CMOS device technology for ultra low power LSI was investigated. It was clarified that about 50% reduction in power dissipation with the same operation speed as compared with conventional MOSFET was realized using Bulk Dynamic Threshold MOSFET(B-DTMOS).
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