多結晶シリコン基板を用いた太陽電池の高効率化技術の開発は，太陽電池事業の成長を支えるための重要な開発テーマである。多結晶シリコン基板特有の課題として基板品質の面内分布改善のためのバルクパッシベーション技術について検討した。基板品質の指標である拡散長とエッチピット密度で評価される結晶欠陥とに相関があり，結晶欠陥の不活性化のためのパッシベーション膜としてはSiN膜が有効であることがセルの電流出力分布の評価結果から明らかになった。更に，セル試作の結果，2cm角サイズでセル変換効率18.9%，5cm角サイズで18.4%と，各々のサイズで世界最高値達成を確認した。

　Development of fabrication technologies for high efficiency multi-crystalline silicon solar cells is important in sustaining the growth of solar cell business. This paper describes a bulk passivation technology for improving a quality distribution in multi-crystalline silicon solar cell substrate. The correlation between the diffusion length that shows electrical quality and the etch pit density that indicates crystalline defects was confirmed. Also, it was shown, from the evaluation of the output current distribution, that a SiN film effectively passivated crystalline defects. As a result of cell fabrication, the conversion efficiencies of 18.9% for the cell of 2cm square substrate size and 18.4% for 5cm square one were obtained. These values are the best efficiencies in the world in each size.